EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-AMPD-D Alta Rapida Ampligita Mikroonda InGaAs Fotodetektilo
- Alta Rapido, Larĝa Bandwidth
- Enkorpigita Bias-T
- O/E Hibrido Integrita
- Alta Gajno, Malalta Bruo, Larĝbendo
- Hermetike Sigelita, SMA-Konektilo
- Malalta Malhela Kurento, alta signalo-bruo-proporcio.
- Malgranda Formfaktoro.
Priskribo de la produkto
LK-AMPD-D estas kunfandiĝo de optikaj kaj elektronikaj komponantoj, havante larĝspektran InGaAs-fotodiodon kaj minimum-bruan amplifilon. La InGaAs PIN-fotodiodo havas senteman gamon de 1000 ĝis 1650 nm. La malalt-brua amplifilo fanfaronas pri RF-gajno de 30 dB.
LK-AMPD-D kapablas liveri bendlarĝojn de aŭ 12GHz aŭ 20GHz. Ĉi tiu aparato funkcias kun +9V-fonto. Ĝi estas desegnita por funkcii kun la norma unu-reĝima 9/125μm fibro kiel enigo. La RF-eligo havas SMA-tipan konektilon, kiu estas impedanc-kongruigita al 50 omoj.
LK-AMPD-D estas sigelita tiel, ke ĝi malhelpas la eniron de humideco kaj aliaj poluaĵoj, kaj ĝi pezas malpli ol 23 gramojn. Ĝi estas atestita por plenumi la postulojn de la Direktivo pri Limigo de Danĝeraj Substancoj (RoHS) 2.0.
Teknikaj Specifoj
| Tipa & Absoluta Maksimuma Taksado | ||||
|---|---|---|---|---|
| parametro | Sim. | tipo | Taksado | unuobla |
| Stokadotemperaturo | TSTG | -45 ～ +85 | -55 ～ +100 | ℃ |
| Funkcia kaza temperaturo-intervalo | TC | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| Biasa Tensio | VR | +9 | +9 ～ +12 | V |
| Optika Eniga Potenco | Pin | 0 | + 10 | dBm |
| Elbrulinta Optika Potenco | PB | - | + 13 | dBm |
| Plumba lutado temperaturo | Tp | 280（10s） | 330（10s） | ℃ |
| Elektraj/Optikaj Karakterizaĵoj (TC = 22 ± 3 ℃) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| parametro | Sim | Testo-Kondiĉo | Parametraj Valoroj | unuobla | ||
| Ondolonga Gamo | λ | - | 1000 ~ 1650 | nm | ||
| Frekvenca Gamo | - | - | X - Bando | Ku - Bando | - | |
| Malgranda Signalo Bandwidth | f-3dB | TC = 22 ± 3℃ | 0. 3 ～ 12 | 2 ~ 20 | GHz | |
| Respondeco | Re | VR =+9V, Pin = 10 mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.8 | ≥ 0.85 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.85 | ≥ 0.8 | ||||
| Amplekso Plateco | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ± 2 | dB | ||
| Saturado Optika Potenco | Ps | VR = +9 V, λ = 1550 nm AC Modulita | + 10 | dBm | ||
| RF-Signala Gajno | G | - | 30 ± 1 | dB | ||
| Satura RF Eligo-Potenco | Peksteren | - | + 10 | dBm | ||
| Eligita VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | - | ||
| Eligita Impedanco | RL | - | 50 | Ω | ||
●Tipaj Respondaj Kurboj
(Fig. 1 X-benda fotodetektila frekvenca respondo)
(Fig. 2 Ku-Benda Fotodetektila Frekvenca Respondo)
●Dimensio kaj Stiftoj (Unuo: mm[colo])
RF-Konektilo: SMA
●ordigante Informoj
Folio 1:
| Kodo | RF-Signala Gajno | rimarko |
| D | 30 dB | Tipa & Centra Frekvenco |
Folio 2:
| Kodo | Analoga Bandlarĝo |
| X | 0 ～ 3 GHz |
| Ku | 2 ~ 20 GHz |
Folio 3:
| Kodo | Konektilo | rimarko |
| N | Neniu Konektilo | Unureĝima 9 / 125 μm fibra porkovosto |
| A | FC/APC | |
| P | FC / PC |
●singardecoj
La fibro-fleksradiuso estas ne malpli ol 20 mm por eviti fibro-difekton.
Certigu, ke la fibra kupliga faceto estas pura antaŭ ol konekti ĝin al la optocirkvito.
Taŭga ESD-protekto estas necesa dum stokado, transportado kaj uzado.
Ĉiuj niaj normaj fotodetektiloj povas esti personecigitaj en modulojn!
aplikaĵoj
Prilaborado pri Radaro
Elektronika Militado
Antena Mezurado
Fibro Optika Komunikado
Sekureco kaj Gvatado
